MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1CT एकीकृत सर्किट
MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1 CT
| माइक्रोन प्रौद्योगिकी | |
| उत्पाद श्रेणीः | DRAM |
| RoHS: | |
| एसडीआरएएम - डीडीआर2 | |
| 512 एमबीटी | |
| 16 बिट | |
| 400 मेगाहर्ट्ज | |
| एफबीजीए-84 | |
| 32 M x 16 | |
| 400 PS | |
| 1.7 वी | |
| 1.9 वी | |
| 0 C | |
| + 85 C | |
| MT47H | |
| ट्रे | |
| ब्रांडः | माइक्रोन |
| नमी के प्रति संवेदनशीलः | हाँ |
| माउंटिंग शैलीः | एसएमडी/एसएमटी |
| उत्पाद का प्रकार: | DRAM |
| उपश्रेणीः | मेमोरी और डाटा स्टोरेज |
| आपूर्ति करंट - अधिकतमः | 95 एमए |
| इकाई भारः | 0.084795 औंस |
शेन्ज़ेन Wisdtech प्रौद्योगिकी कं, लिमिटेड दुनिया भर से प्रसिद्ध अर्धचालक एकीकृत सर्किट (आईसीएस) में विशेषज्ञता एक बड़े पैमाने पर आपूर्तिकर्ता हैं।
हमारे पास कई वर्षों के बिक्री प्रबंधन का अनुभव है, विभिन्न इलेक्ट्रॉनिक घटकों का पेशेवर समर्थन करता है, और लंबे समय तक स्टॉक की एक बड़ी मात्रा है।
यह मुख्य रूप से CCTC उन्नत सिरेमिक कैपेसिटर का एजेंट है
RICHTEK,SGMRICO,AD,XILINX,ST,ALTERA,TI और सभी श्रृंखला ICs और Resistor,inductor और moulds पर वितरित करता है। उत्पादों का व्यापक रूप से पोर्टेबल इलेक्ट्रॉनिक उत्पादों के क्षेत्र में उपयोग किया जाता है।प्रौद्योगिकी पर आधारित और बाजार उन्मुख, हम समृद्ध व्यापार अनुभव जमा किया है और एक पूर्ण प्रबंधन प्रणाली का गठन किया है।इसने संयुक्त राज्य अमेरिका में निर्माताओं और एजेंटों के साथ अच्छे सहयोग संबंध स्थापित किए हैं।, यूरोप, जापान, दक्षिण कोरिया और ताइवान, और लगातार सेवा की गुणवत्ता में सुधार किया है। इसलिए, इसे अधिकांश उपयोगकर्ताओं से मजबूत समर्थन और उच्च विश्वास प्राप्त हुआ है!व्यवसाय तेजी से विकसित हुआ है और देश भर के कई व्यापारियों और निर्माताओं के साथ दीर्घकालिक मैत्रीपूर्ण सहकारी संबंध स्थापित किए हैंकंपनी हमेशा "गुणवत्ता पहले, उचित मूल्य, त्वरित वितरण और सेवा पहले" की विकास अवधारणा और उद्देश्य का पालन करती है।यह हमारा कर्तव्य है कि हम उद्यम को सबसे अधिक संतोषजनक सेवा प्रदान करें।एक मजबूत बाजार सेवा नेटवर्क प्रणाली के माध्यम से, हम उद्यम को मानकीकृत, पेशेवर, विविध और सभी प्रकार की उच्च गुणवत्ता वाली सेवाएं प्रदान करते हैं।
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MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR फ्लैश SPI 1Gbit 4 3 वोल्ट 24/25 TBGA 2
NT5CC128M16JR-EK DRAM चिप DDR3L SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.35V 96-पिन TFBGA
JS28F512M29EWHA फ्लैश - NOR मेमोरी IC 512Mbit समानांतर 110ns 56-TSOP एकीकृत सर्किट ICs
| छवि | भाग # | विवरण | |
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MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR फ्लैश SPI 1Gbit 4 3 वोल्ट 24/25 TBGA 2 |
MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR Flash SPI 1Gbit 4 3 Volts 24/25 TBGA 2
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NT5CC128M16JR-EK DRAM चिप DDR3L SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.35V 96-पिन TFBGA |
NT5CC128M16JR-EK DRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.35V 96-Pin TFBGA
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JS28F512M29EWHA फ्लैश - NOR मेमोरी IC 512Mbit समानांतर 110ns 56-TSOP एकीकृत सर्किट ICs |
JS28F512M29EWHA FLASH - NOR Memory IC 512Mbit Parallel 110ns 56-TSOP Integrated Circuits ICs
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