JS28F512M29EWHA फ्लैश - NOR मेमोरी IC 512Mbit समानांतर 110ns 56-TSOP एकीकृत सर्किट ICs
JS28F512M29EWHA फ्लैश - NOR मेमोरी IC 512Mbit समानांतर 110ns 56-TSOP एकीकृत सर्किट ICs
| माइक्रोन प्रौद्योगिकी | |
| उत्पाद श्रेणीः | न तो फ्लैश |
| एसएमडी/एसएमटी | |
| TSOP-56 | |
| M29EW | |
| 512 एमबीटी | |
| 2.3 वी | |
| 3.6 वी | |
| 50 एमए | |
| समानांतर | |
| 64 M x 8/32 M x 16 | |
| 8 बिट/16 बिट | |
| असिंक्रोनस | |
| - 40 C | |
| + 85 C | |
| ट्रे | |
| ब्रांडः | माइक्रोन |
| मेमोरी प्रकारः | न ही |
| उत्पाद का प्रकार: | न तो फ्लैश |
| गतिः | 110 एनएस |
| मानक: | सामान्य फ्लैश इंटरफेस (सीएफआई) |
| उपश्रेणीः | मेमोरी और डाटा स्टोरेज |
| प्रकारः | बूट ब्लॉक |
विशेषताएं
●2Gb = स्टैक्ड डिवाइस (दो 1Gb मर) आपूर्ति वोल्टेज
- Vcc= 2.7- 3.6V (प्रोग्राम, मिटाएं, पढ़ें)
- VccQ= 1.65- -Vcc (1/0 बफर)
●एसिंक्रोनस रैंडम/पेज रीड
一पृष्ठ का आकारः 16 शब्द या 32 बाइट्स
1पृष्ठ पहुँचः 25ns
- यादृच्छिक पहुंचः 100ns (बढ़ाई BGA);110ns (TSOP)
●बफर प्रोग्राम: 512 शब्दों का प्रोग्राम बफर
●कार्यक्रम का समय
一0.88us प्रति बाइट (1.14 MB/s) TYP जब पूर्ण का उपयोग
बफर प्रोग्राम में 512-शब्द बफर का आकार
●स्मृति का संगठन
- समान ब्लॉकः 128 केबाइट या 64 केवर्ड प्रत्येक
●प्रोग्राम / मिटाने नियंत्रक
- एम्बेडेड बाइट (x8) / शब्द (x16) प्रोग्राम एल्गो-
धड़कन
●प्रोग्राम / मिटाना रोकें और पुनः आरंभ करने की क्षमता
-प्रोग्राम के दौरान किसी अन्य ब्लॉक से पढ़ें
SUSPEND ऑपरेशन
- एक ERASE के दौरान किसी अन्य ब्लॉक को पढ़ें या प्रोग्राम करें
SUSPEND ऑपरेशन
मिटाए गए ब्लॉक को सत्यापित करने के लिए BLANK CHECK ऑपरेशन
● अनलॉक बायपास, ब्लॉक मिटाने, चिप मिटाने, और लिखने के लिए
बफर क्षमता
- फास्ट बफर/बैच प्रोग्रामिंग
- फास्ट ब्लॉक/चिप मिटाना
●वीपीपी/डब्ल्यूपी# पिन सुरक्षा
- ब्लॉक के बावजूद पहले या अंतिम ब्लॉक की सुरक्षा करता है
सुरक्षा सेटिंग्स
सॉफ्टवेयर सुरक्षा
- अस्थायी सुरक्षा
- अस्थायी सुरक्षा
- पासवर्ड सुरक्षा
१पासवर्ड पहुँच
●विस्तारित मेमोरी ब्लॉक
一128-शब्द (256-बाइट) स्थायी, सुरक्षित के लिए ब्लॉक
पहचान
一 कारखाने में या द्वारा प्रोग्राम या लॉक
ग्राहक
●कम बिजली की खपतः स्टैंडबाय मोड
●जेईएसडी 47 के अनुरूप
一100,000 प्रति ब्लॉक न्यूनतम ERASE चक्र
- डेटा भंडारण: 20 वर्ष (TYP)
65nm बहुस्तरीय सेल MLC) प्रक्रिया प्रौद्योगिकी
पैकेज
一56-पिन TSOP, 14 x 20 मिमी
64-गोलाबंद मजबूत बीजीए, 13x 11 मिमी
●ग्रीन पैकेज उपलब्ध हैं
- RoHS- अनुरूप
- हलोजन मुक्त
●ऑपरेटिंग तापमान
- परिवेशः - 40°C से +85°C
टेलीफोनः +86-755-23606019
पता: कमरा 1205-1207, नंगुआंग भवन, हुआफू रोड, फुटियन जिला,शेंझेन,गुआंग्डोंग,चीन
लेनिया
टेलीफोनः +86-13420902155
ई-मेलःsales@wisdtech.com.cn
Wechat:laneyatao66
व्हाट्सएप: +8613420902155
Skype:sales@wisdtech.com.cn
MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR फ्लैश SPI 1Gbit 4 3 वोल्ट 24/25 TBGA 2
NT5CC128M16JR-EK DRAM चिप DDR3L SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.35V 96-पिन TFBGA
MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1CT एकीकृत सर्किट
| छवि | भाग # | विवरण | |
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MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR फ्लैश SPI 1Gbit 4 3 वोल्ट 24/25 TBGA 2 |
MT25QL01GBBB8E12-0SIT NOR Flash SPI 1Gbit 4 3 Volts 24/25 TBGA 2
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NT5CC128M16JR-EK DRAM चिप DDR3L SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.35V 96-पिन TFBGA |
NT5CC128M16JR-EK DRAM Chip DDR3L SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.35V 96-Pin TFBGA
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MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1CT एकीकृत सर्किट |
MT47H32M16NF-25EH DRAM DDR2 512Mbit 16 84/135 TFBGA 1 CT
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