ISL6625ACRZ-T हाफ-ब्रिज गेट ड्राइवर आईसी गैर-इनवर्टिंग 8-DFN (2x2)
ISL6625ACRZ-T हाफ-ब्रिज गेट ड्राइवर आईसी गैर-इनवर्टिंग 8-DFN (2x2)
| रेनेसस इलेक्ट्रॉनिक्स | |
| उत्पाद श्रेणीः | गेट ड्राइवर |
| RoHS: | विवरण |
| एमओएसएफईटी गेट ड्राइवर | |
| उच्च पक्ष, निम्न पक्ष | |
| एसएमडी/एसएमटी | |
| 2 चालक | |
| 2 आउटपुट | |
| 20 एमए | |
| 5.5 वी | |
| 13.2 वी | |
| 31 एनएस | |
| 18 एनएस | |
| 0 C | |
| + 70 C | |
| ISL6625A | |
| रील | |
| कट टेप | |
| ब्रांडः | रेनेसास / इंटरसिल |
| ऊँचाईः | 0.9 मिमी |
| लम्बाईः | 2 मिमी |
| नमी के प्रति संवेदनशीलः | हाँ |
| उत्पाद का प्रकार: | गेट ड्राइवर |
| उपश्रेणीः | पीएमआईसी - पावर मैनेजमेंट आईसी |
| प्रौद्योगिकीः | हाँ |
| चौड़ाईः | 2 मिमी |
| इकाई भारः | 0.000388 औंस |
ISL6625A एक उच्च आवृत्ति MOSFET ड्राइवर है जिसे ऊपरी और निचले पावर N-चैनल को चलाने के लिए डिज़ाइन किया गया है
असिंक्रोनस रेक्टिफाइड बक कन्वर्टर टोपोलॉजी में एमओएसएफईटी। आईएसएल6625ए में, ऊपरी और निचले गेट हैं
दोनों को बाहरी रूप से लागू वोल्टेज पर चलाया जाता है। यह अनुप्रयोगों को अनुकूलित करने की क्षमता प्रदान करता है जिसमें शामिल हैं
गेट चार्ज और संवाहक हानि के बीच व्यापार-बंद।
एक साथ संचालन करने से दोनों ऊपरी और निचले MOSFETs को रोकने के लिए और कम से कम करने के लिए एकीकृत
ISL6625A में 10kΩ एकीकृत उच्च-साइड गेट-टू-सोर्स प्रतिरोधक है जिससे स्वयं को चालू होने से रोका जा सके।
उच्च इनपुट बस dV/dt के लिए। इस ड्राइवर में एक ओवरवोल्टेज सुरक्षा सुविधा भी है जो वीसीसी के दौरान काम करती है।
पीओआर सीमा से नीचे है। PHASEnode निम्न पक्ष MOSFET (LGATE) के गेट से जुड़ा हुआ है
एक 30kΩ प्रतिरोधक, कम पक्ष MOSFET के गेट सीमा के पास कनवर्टर के आउटपुट वोल्टेज को सीमित करता है।
यह इस बात पर निर्भर करता है कि वर्तमान को शंट किया जा रहा है, जो कि लोड को कुछ सुरक्षा प्रदान करता है यदि ऊपरी भाग को चालू किया जाए।
MOSFETs को छोटा किया जाता है।
आवेदन
• उच्च प्रकाश भार दक्षता वोल्टेज नियामक
• उन्नत माइक्रोप्रोसेसरों के लिए कोर नियामक
• उच्च धारा डीसी/डीसी कन्वर्टर्स
विशेषताएं
• सिंक्रोनस रेक्टिफाइड ब्रिज के लिए डुअल एमओएसएफईटी ड्राइव
• उन्नत अनुकूली शून्य शूट-थ्रू सुरक्षा- चरण का पता लगाने- एलजीएटीई का पता लगाने- आरडीएस ((ऑन) संवहन ऑफसेट प्रभाव का ऑटो-जीरो
• कम स्टैंडबाय पक्षपात वर्तमान
• 36V आंतरिक बूटस्ट्रैप स्विचर
• बूटस्ट्रैप कैपेसिटर ओवरचार्जिंग की रोकथाम
• उच्च इनपुट बस डीवी / डीटी के कारण स्व-बंद होने से रोकने के लिए एकीकृत उच्च-साइड गेट-टू-सोर्स प्रतिरोधक
• आरंभ और बंद करने के लिए प्री-पीओआर ओवरवोल्टेज सुरक्षा
• पावर रेल कम वोल्टेज सुरक्षा
• गर्मी को बेहतर ढंग से ढंकने के लिए विस्तार योग्य तल तांबा पैड
• डबल फ्लैट नो लीड (DFN) पैकेज- लगभग चिप-स्केल पैकेज पदचिह्न; पीसीबी दक्षता में सुधार और प्रोफाइल में पतला• पीबी-मुक्त (रोएचएस अनुरूप)
