MX25L6445EMI-10G FLASH - NOR मेमोरी IC 64Mbit SPI 104 MHz 16-SOP एकीकृत सर्किट ICs

श्रेणी:
एकीकृत सर्किट आईसीएस
कीमत:
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भुगतान विधि:
पेपैल, टीटी, वेस्टर्न यूनियन
विनिर्देश
तारीख संकेत:
नवीनतम कोड
शिपिंग द्वारा:
डीएचएल/यूपीएस/फेडेक्स
स्थिति:
नया*मूल
वारंटी:
365 दिन
सीसा रहित:
रोस अनुपालन
समय सीमा:
तुरंत शिपमेंट
पैकेज:
एसओपी16
घुड़सवार शैली:
एसएमडी/एसएमटी
प्रमुखता देना:
MX25L6445EMI-10G
,मेमोरी आईसी 64Mbit
,MX25L6445EMI-10G एकीकृत सर्किट आईसी
परिचय
MX25L6445EMI-10G FLASH - NOR मेमोरी IC 64Mbit SPI 104 MHz 16-SOP
श्रेणी
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एमएफआर
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श्रृंखला
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उत्पाद की स्थिति
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नए डिजाइन के लिए नहीं
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DigiKey प्रोग्राम करने योग्य
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सत्यापित
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मेमोरी प्रकार
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अस्थिर
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पैकेज | ट्यूब |
मेमोरी प्रारूप
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प्रौद्योगिकी
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फ्लैश - न तो
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मेमोरी का आकार
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स्मृति संगठन
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8M x 8
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मेमोरी इंटरफ़ेस
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एसपीआई
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घड़ी की आवृत्ति
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104 मेगाहर्ट्ज
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चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ
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300μs, 5ms
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वोल्टेज - आपूर्ति
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2.7V ~ 3.6V
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परिचालन तापमान
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-40°C ~ 85°C (TA)
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माउंटिंग प्रकार
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सतह माउंट
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पैकेज / मामला
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आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज
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16-एसओपी
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मूल उत्पाद संख्या
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विवरण:
सीरियल परिधीय इंटरफेस संगत - मोड 0 और मोड 3
●64 एमबी: 67,108,864 x 1 बिट संरचना या 33,554,432 x 2 बिट्स (दो /0 मोड)
संरचना या 16,777,216x 4 बिट्स (चार 10 मोड) संरचना
●2048 4K बाइट्स के साथ समान क्षेत्र
- किसी भी क्षेत्र को व्यक्तिगत रूप से मिटाया जा सकता है
●प्रत्येक 32K बाइट्स के साथ 256 समान ब्लॉक
- किसी भी ब्लॉक को व्यक्तिगत रूप से मिटाया जा सकता है
●128 समान ब्लॉक प्रत्येक 64K बाइट्स के साथ
- किसी भी ब्लॉक को व्यक्तिगत रूप से मिटाया जा सकता है
●विद्युत आपूर्ति संचालन
- 2.7 से 3.6 वोल्ट पढ़ने, मिटाने और कार्यक्रम संचालन के लिए
●100mA तक सुरक्षित लॉक-अप -1V से Vcc +1V तक
प्रदर्शन
●उच्च प्रदर्शन
वीसीसी= 2.7~3.6V
- सामान्य रीडिंग
- 50MHz
- त्वरित रीडिंग (सामान्य सीरियल मोड)
.1 10: 104 मेगाहर्ट्ज 8 डमी चक्रों के साथ
-2 l/O: 70MHz 4 डमी चक्रों के साथ
- 4 IO: 6 डमी चक्रों के साथ 70MHz
- त्वरित रीडिंग (डबल ट्रांसफर रेट मोड)
-1 10: 50MHz 6 डमी चक्रों के साथ
- 2 IO: 6 डमी चक्रों के साथ 50MHz
-410: 8 डमी चक्रों के साथ 50MHz
- तेज़ कार्यक्रम समयः 1.4ms (आमतौर पर) और 5ms (अधिकतम) /पृष्ठ (256-बाइट प्रति पृष्ठ)
- बाइट प्रोग्राम समयः 9us (सामान्य)
लगातार प्रोग्राम मोड (शब्द प्रोग्राम मोड के तहत स्वचालित रूप से पता बढ़ाएं)
. तेजी से मिटाने का समयः 60ms (typ./sector (4K-byte per sector); 0.7s (typ.) /block (64K-byte per block); 50s (typ.) /chip)
●कम बिजली की खपत
- कम सक्रिय रीड करंटः 104MHz पर 19mA (अधिकतम), 66MHz पर 15mA (अधिकतम) और 33MHz पर 10mA (अधिकतम)
- कम सक्रिय प्रोग्रामिंग करंटः 25mA (अधिकतम)
- कम सक्रिय मिटाने का करंट: 25mA (अधिकतम)
- कम स्टैंडबाय करंट: 50uA (अधिकतम)
- गहरी शक्ति डाउन करंटः 20uA (अधिकतम)
सामान्यतः 100,000 मिटाने/प्रोग्राम चक्र
20 वर्ष तक डेटा का भंडारण
आरएफक्यू भेजें
स्टॉक:
एमओक्यू:
1pcs