M25P40-VMN6TPB NOR फ्लैश SPI 4Mbit 1 8/8 SOIC 1 आईटी एकीकृत सर्किट आईसी
M25P40-VMN6TPB
,M25P40-VMN6TPB एकीकृत सर्किट आईसी
M25P40-VMN6TPB NOR फ्लैश SPI 4Mbit 1 8/8 SOIC 1 आईटी एकीकृत सर्किट आईसी
| एसटीएमइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स | |
| उत्पाद श्रेणीः | न तो फ्लैश |
| एसएमडी/एसएमटी | |
| एसओआईसी-8 | |
| M25P40 | |
| 4 एमबीट | |
| 2.3 वी | |
| 3.6 वी | |
| 8 एमए | |
| एसपीआई | |
| 75 मेगाहर्ट्ज | |
| 512 k x 8 | |
| 8 बिट | |
| समकालिक | |
| - 40 C | |
| + 85 C | |
| रील | |
| कट टेप | |
| माउसरील | |
| ब्रांडः | माइक्रोन |
| मेमोरी प्रकारः | न ही |
| उत्पाद का प्रकार: | न तो फ्लैश |
| गतिः | 75 मेगाहर्ट्ज |
| मानक: | समर्थित नहीं |
| उपश्रेणीः | मेमोरी और डाटा स्टोरेज |
विवरण
M25P40 एक 4Mb (512Kb x 8) सीरियल फ्लैश मेमोरी डिवाइस है जिसमें उन्नत लेखन-
उच्च गति एसपीआई संगत बस द्वारा उपयोग किए जाने वाले सुरक्षा तंत्र।
75 मेगाहर्ट्ज तक की घड़ी आवृत्ति के लिए उच्च प्रदर्शन कमांड पोर्ट करता है।
मेमोरी को PAGE PROGRAM का उपयोग करके एक समय में 1 से 256 बाइट तक प्रोग्राम किया जा सकता है
यह 8 क्षेत्रों में व्यवस्थित है, प्रत्येक में 256 पृष्ठ होते हैं। प्रत्येक पृष्ठ में 256 पृष्ठ होते हैं।
बाइट्स चौड़ाई।
पूरी मेमोरी को BULK ERASE कमांड का उपयोग करके मिटाया जा सकता है, या इसे मिटाया जा सकता है
एक समय में एक सेक्टर सेक्टर मिटा कमांड का उपयोग करके.
●अधिकतम आवृत्ति (अधिक गति संचालन पर डेटा बाइट्स पढ़ें)
ard Vcc रेंज 2.7V से 3.6V 75MHz के बराबर है
●अधिकतम आवृत्ति (अधिक गति संचालन पर डेटा बाइट्स पढ़ें)
ded Vcc रेंज 2.3V से 2.7V 40MHz के बराबर है
●यूआईडी/सीएफडी सुरक्षा सुविधा
विशेषताएं
●एसपीआई बस संगत सीरियल इंटरफ़ेस
●4 एमबी फ्लैश मेमोरी
●75 मेगाहर्ट्ज घड़ी आवृत्ति (अधिकतम)
●2.3V से 3.6V एकल आपूर्ति वोल्टेज
●0.8ms (TYP) में पेज प्रोग्राम (256 बाइट तक)
● मिटाने की क्षमता
- सेक्टर मिटानाः 512Kb 0.6s में (TYP)
1 बल्क मिटानाः 4.5 सेकंड में 4 एमबी (TYP)
●लेखन संरक्षण
- हार्डवेयर लेखन सुरक्षाः संरक्षित क्षेत्र का आकार
गैर-ऊष्ण बिट्स बीपी0, बीपी1, बीपी2 द्वारा परिभाषित
● गहरी शक्ति-डाउनः 1lμA (TYP)
●इलेक्ट्रॉनिक हस्ताक्षर
- JEDEC-मानक 2-बाइट हस्ताक्षर (2013h)
- अद्वितीय आईडी कोड (यूआईडी) केवल पढ़ने के लिए 16 बाइट के साथ
अनुरोध पर उपलब्ध स्थान
आरईएस कमांड, एक बाइट का हस्ताक्षर (12h)
पिछड़ी संगतता
●प्रति क्षेत्र 100,000 से अधिक लेखन चक्र
ऑटोमोटिव ग्रेड के भाग उपलब्ध
●पैकेजिंग (RoHS- अनुरूप)
SO8N (MN) 150 मिली
SO8W (MW) 208 मिली
一VFDFPN8 (MP) MLP8 6mm x 5mm
一UFDFPN8 (MC) MLP8 4 मिमी x 3 मिमी
- UFDFPN8 (MB) MLP8 2mm x 3mm
