IS61WV5128BLL-10TLI SRAM 4Mb (512k x 8) 10ns असिंक्रोनस SRAM 3.3v एकीकृत सर्किट आईसी
IS61WV5128BLL-10TLI SRAM 4Mb (512k x 8) 10ns असिंक्रोन SRAM 3.3v
| आईएसएसआई | |
| उत्पाद श्रेणीः | SRAM |
| RoHS: | विवरण |
| 4 एमबीट | |
| 512 k x 8 | |
| 10 एनएस | |
| - | |
| समानांतर | |
| 3.6 वी | |
| 2.4 वी | |
| 45 एमए | |
| - 40 C | |
| + 85 C | |
| एसएमडी/एसएमटी | |
| TSOP-44 | |
| ट्यूब | |
| ब्रांडः | आईएसएसआई |
| मेमोरी प्रकारः | एसडीआर |
| नमी के प्रति संवेदनशीलः | हाँ |
| बंदरगाहों की संख्याः | 1 |
| उत्पाद का प्रकार: | SRAM |
| श्रृंखला: | IS61WV5128BLL |
| उपश्रेणीः | मेमोरी और डाटा स्टोरेज |
| प्रकारः | असिंक्रोनस |
| इकाई भारः | 0.016579 औंस |
विवरण
आईएसएसआई IS61WV5128Axx और IS61/64WV5128Bxx
बहुत ही उच्च गति, कम शक्ति, 524,288 द्वारा शब्द हैं
8-बिट सीएमओएस स्थिर रैम। IS61 WV5128Axx और
IS61/64WV5128Bxx ISST के उच्च-
यह अत्यधिक विश्वसनीय प्रो-
नवीन सर्किट डिजाइन तकनीकों के साथ
उच्च प्रदर्शन और कम बिजली की खपत देता है
उपकरण।
जब CE HIGH है (अनचेक किया गया), तो डिवाइस मानता है
एक स्टैंडबाय मोड जिस पर शक्ति अपव्यय हो सकता है
सीएमओएस इनपुट स्तरों के साथ कम।
IS61WV5128Axx और IS61/64WV5128Bxx काम करते हैं
एक ही बिजली की आपूर्ति से।
IS61WV51 28ALL और IS61/64WV5128BLL उपलब्ध हैं।
36-पिन 400-मिल SOJ, 36-पिन मिनी BGA और 44-पिन में सक्षम
TSOP (प्रकार I) पैकेज।
IS61WV5128ALS और IS6 1/64WV5128BLS हैं
32-पिन एसटीएसओपी (प्रकार I), 32-पिन एसटीएसओपी (प्रकार I) में उपलब्ध है,
32-पिन एसओपी और 32-पिन टीएसओपी (प्रकार I1) पैकेज।
विशेषताएं
उच्च गतिः (IS61/64WV5128ALLBLL)
●उच्च गति से पहुँचने का समयः8, 10, 20 ns
●कम सक्रिय शक्तिः 85 एमडब्ल्यू (सामान्य)
●कम स्टैंडबाय पावरः 7 एमडब्ल्यू (सामान्य)
CMOS स्टैंडबाय
कम शक्तिः (IS61/64WV5128AL S/BLS)
●उच्च गति से पहुँचने का समयः 25, 35 एनएस
●कम सक्रिय शक्तिः 35 एमडब्ल्यू (सामान्य)
●कम स्टैंडबाय पावरः 0.6 mW (सामान्य)
CMOS स्टैंडबाय
●एक ही बिजली आपूर्ति
- Voo 1.65V से 2.2V (IS61 WV5128Axx)
- VoD 2.4V से 3.6V (IS61/64WV5128Bxx)
●पूरी तरह से स्थिर संचालनः कोई घड़ी या ताज़ा नहीं
आवश्यक
●तीन राज्य आउटपुट
●औद्योगिक और ऑटोमोटिव तापमान समर्थन
●सीसा रहित उपलब्ध
IS61WV5128BLL-10TLI एक मेमोरी डिवाइस के लिए एक विशिष्ट भाग संख्या है। यह एक 128Mb (मेगाबिट) असिंक्रोनस
इंटीग्रेटेड सिलिकॉन सॉल्यूशन इंक (आईएसएसआई) द्वारा निर्मित स्टैटिक रैंडम एक्सेस मेमोरी (एसआरएएम) मॉड्यूल
यहाँ इस विशेष मेमोरी डिवाइस के बारे में कुछ जानकारी दी गई हैः
- मेमोरी क्षमता: 128 मेगाबाइट (Mb) या 16 मेगाबाइट (MB)
- मेमोरी प्रकारः असिंक्रोनस एसआरएएम
- पहुँच का समयः 10 एनएस (नैनोसेकंड)
- संगठन: 4 बैंक x 4,096 पंक्तियाँ x 2,048 स्तंभ
- पैकेज का प्रकारः 44-पिन TSOP (पतला छोटा-आउटलाइन पैकेज)
- तापमान सीमाः औद्योगिक (-40°C से +85°C)
- वोल्टेज सप्लाईः IS61WV5128BLL-10TLI 2.7V से 3.6V तक वोल्टेज सप्लाई रेंज के साथ काम करता है।
- घनत्व: मेमोरी डिवाइस का घनत्व 128 मेगाबाइट (एमबी) है, जो 16 मेगाबाइट (एमबी) के बराबर है।
- अभिगम समय: अभिगम समय उस गति को निर्दिष्ट करता है जिस पर मेमोरी से डेटा पढ़ा या लिखा जा सकता है।
- इस मामले में, एक्सेस समय 10 नैनोसेकंड (एनएस) है, जो अपेक्षाकृत तेज़ ऑपरेशन को दर्शाता है।
- संगठनः मेमोरी को 4 बैंकों में व्यवस्थित किया गया है, जिनमें से प्रत्येक बैंक में 4,096 पंक्तियाँ और 2,048 स्तंभ होते हैं।
- यह संगठन डेटा के कुशल भंडारण और पुनर्प्राप्ति की अनुमति देता है।
- पैकेज प्रकारः IS61WV5128BLL-10TLI 44-पिन TSOP (थिन स्मॉल-आउटलाइन पैकेज) फॉर्म फैक्टर में आता है।
- यह पैकेज आम तौर पर एकीकृत सर्किट के लिए प्रयोग किया जाता है और एक आसान एकीकरण के लिए एक कॉम्पैक्ट डिजाइन प्रदान करता है
- इलेक्ट्रॉनिक प्रणालियाँ।
- तापमान सीमाः मेमोरी को -40°C से +85°C के औद्योगिक तापमान सीमा के भीतर काम करने के लिए डिज़ाइन किया गया है।
- यह व्यापक तापमान सीमा विभिन्न वातावरणों में विश्वसनीय संचालन की अनुमति देती है।
